半导体级洁净环境三重革新：DIT离子发生器与颗粒过滤系统技术白皮书
2025-06-30 11:22:43
admin
Dongil Technology 离子化与颗粒过滤系统技术解析
——革新半导体洁净环境解决方案
一、高级离子发生器（High Class Ionizer）
1. 核心技术创新
Fuzzy Ball生成抑制
通过Short-Pulse电压输出技术（文档图示），将传统持续高压改为毫秒级脉冲放电，消除过度等离子场：根源抑制NH₄NO₃结晶（Fuzzy Ball）形成
放电针侵蚀率降低76%，寿命延长至6个月
空气动力学优化
重构气流导向结构，粉尘颗粒吸附率降低82%：
2. 卓越性能验证
| 参数 | 本型号 | 传统型号 |
|---|---|---|
| Offset电压 | ±5V | ±15V |
| 响应时间（200mm） | 0.8秒 | 1.5秒 |
| 长期稳定性（6个月） | <0.05ppm | >0.2ppm |
 |
二、超近距低偏移离子发生器（Low Offset Ionizer）
1. 近场静电消除突破
电场遮蔽技术
屏蔽放电针周边电场，实现10-500mm极近距操作：残留电压稳定维持±5V
1秒内完成200mm距离静电消除
高频输出优化
120Hz脉冲频率使正/负离子转换速度提升300%：
2. ASG-N关键参数
| 特性 | 数值 |
|---|---|
| 工作距离 | 10-500mm |
| 臭氧生成量 | <0.05ppm |
| 通信协议 | RS485（5M传输） |
三、电气颗粒过滤器（Electrical Particulate Filter）
1. 静电捕获原理
四阶净化流程：
graph LR A[粉尘带电] --> B[高压吸附] B --> C[极性捕获] C --> D[洁净排放]
2. 半永久性设计优势
| 特性 | VQ3-225X1（3单元） |
|---|---|
| 0.3μm捕获率 | 99.5% |
| 功耗 | ≤3.75A@24VDC |
| 清洗周期 | 6个月（可重复使用） |
3. 行业应用场景
四、技术整合价值
三重防护体系：
1. 源头控制（离子发生器）→ 2. 近场消除（低偏移技术）→ 3. 终极过滤（颗粒捕获）
实测效益：
晶圆厂洁净度达标率：99.98%
产线良率提升：≥2.3%
维护成本降幅：60%（对比传统方案）
技术认证：所有产品通过SEMI S22及ISO 14644-1标准验证，应用于三星、台积电等领先半导体产线。
数据声明：本文参数均引自DIT 2025技术文档，图片版权归Dongil Technology所有。
